2018功率半導體材料(氮化鎵&碳化矽)應用元件國際論壇
2018 Symposium on High Power Semiconductor Materials (GaN & SiC) and Devices
學生論文海報競賽徵文啟事
Poster Competition
一、 會議主題:
全球晶片製造業創新研究發展重點之一在於次世代電力電子及射頻功率元件製造技術,由於矽(Si)材料已接近其理論上的性能極限,具寬能隙(Wide Band Gap; WBG)特性之功率半導體材料及元件技術,將成為次世代功率電子產品及應用重要平台。國家中山科學研究院執行政府晶片及半導體產業科技研發專案,進行高功率模組應用之半導體材料及元件製造技術開發,為台灣功率半導體產業注入一股新動能。為推廣國內學術研究單位投入功率半導體材料及高功率模組電力電子應用相關研究,將於2018功率半導體材料(氮化鎵&碳化矽)應用元件國際論壇活動配合舉辦學生論文海報競賽,期能促成我國學研各界交流研討及合作研究。
二、 會議時間:107年10月18日(四)
三、 會議地點:集思交通部會議中心-國際會議廳(台北市杭州南路一段24號)
四、 主辦單位:國家中山科學研究院、台灣經濟研究院
五、 學生論文競賽主題說明
(1) 功率電子元件技術:
本主題範圍涵蓋各類功率電子元件的最新發展與新型材料元件應用研發,特別是碳化矽/氮化鎵功率電子相關之技術、新型材料、物理與可靠性分析等等,包含(但不限定)以下領域之論文:(1) 高電子遷移率材料; (2) 功率電子元件製造技術; (3) 元件結構設計與模擬; (4) 元件可靠性分析與壽命預估。
(2) 功率電子封裝與功率模組應用技術:
本主題範圍涵蓋功率電子元件之散熱封裝及電源轉換功率模組應用技術研發,特別是碳化矽/氮化鎵功率電子封裝設計與模擬、電路構裝散熱分析與量測;以及碳化矽/氮化鎵功率模組/電源轉換應用相關之模組電路架構設計與製造、應用電路效能分析等等,包含(但不限定)以下領域之論文:(1) 功率電子封裝材料; (2) 模組構裝散熱分析與量測; (3) 功率模組設計技術; (4) 電源轉換器應用研發。
(3) 新穎功率半導體材料與元件分析技術:
本主題範圍涵蓋功率電子材料或元件相關之檢測分析及檢測技術最新發展與應用,包含(但不限定)以下領域之論文:(1) 材料影像分析技術:SEM、AFM、C-AFM、SCM、STM、SSRM、MFM、TEM 及 SNOM; (2) 材料晶體結構分析技術:TEM 及XRD; (3) 材料成分分析技術:EDS、AES、XPS、SIMS 及 FTIR。
六、 投稿原則:
(1) 欲投稿者請先至下列網址登記:https://goo.gl/qGt1fF
(2) 格式:論文以中英文撰寫均可、A4紙 single-space two column、字體大小10之格式打字,圖、文合計以4頁為限。
(3) 投稿方式:一律以 pdf 格式投稿至E-mail: d32955@tier.org.tw。
(4) 日期:即日起開始受理投稿;徵文截止日期至2018年8月24日;預計2018年9月10日前通知論文審查結果。
(5) 發表方式:本次競賽之投稿論文皆以壁報方式發表,中、英文解說皆可。
(6) 論壇當日將會進行投稿者之論文海報展覽,請自行設計並輸出海報(海報尺寸將會另行告知),並於會議當日指定時間至現場張貼,並於海報交流時間於自己的海報前為與會者及評審提供解說。
Post time: 2018年10月18日(星期四)10:40~11:10
七、 評分方式:
評分項目將分為論文內容( 60% )與現場答詢( 40% )兩部分,分別由兩組評審委員給分之總和為該論文之總得分,得分由高至低排序,若總得分相同,則由原創性部分的得分高低決定名次之先後次序。
八、 獎勵方式:
各主題將不分領域擇優評選取前6名,頒發獎狀及獎金以玆鼓勵,並於論壇會閉幕時頒獎。
(1) 頭等獎:獎金10000元,一名
(2) 特優獎:獎金6000元,二名
(3) 優等獎:獎金3000元,三名
九、 聯絡人:
(1) 台灣經濟研究院 李宜軒 副組長
電話:02-2586-5000 #808
EMAIL:d32955@tier.org.tw
(2) 台灣經濟研究院 黃威菁 行政助理
電話:02-2586-5000 #875
EMAIL:d33581@tier.org.tw
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xrd分析 在 Fw: [材料] XRD分析結果- 看板Master_D - 批踢踢實業坊 的推薦與評價
※ [本文轉錄自 ChemEng 看板 #1N8rN8-D ]
作者: alexanjou (雅痞Mark杯) 看板: ChemEng
標題: [材料] XRD分析結果
時間: Fri Apr 29 20:38:29 2016
大家好
小弟念機械所 不過碩論是做儲氫合金
因為是本實驗室中唯一個做材料相關 沒有學長可以問 更沒有同學使用過XRD
XRD也是自己去學校微奈米中心學習的
當我在做XRD的時候遇到幾個問題
1. 圖型不是平的
我看有的PAPER上頭的XRD 基準都是水平的
我上網查了一下 似乎有高低起伏是正常 但沒有說明原因
我後來打別組時 卻沒有出現這個問題
2. XRD 結果的判讀
當我XRD掃描完成後
因為我確定我的粉末是2MgH2-TiH2-0.1Pd
所以我可以把所有的元素都框起來 點呈紅色(Disable)
然後把 H Mg Ti Pd 改呈藍色(At least one)嗎?
綠色Mandatory 是什麼意思@@ (當初教我的博士說別管他)
3.XRD 結果的判讀2
在成分確定的部分,出現60種可能...
我要怎麼去判斷 何者才是我的晶體結構呢?
又或是 有些重複出現了 例如No.48 & 49
都是Pd,前面的性質似乎也一樣
我實在想不透 該如何去選擇
還是說應該要去看比例呢? 可是這60幾種可能加起來遠超過100%...
Quality又分成 Indexed Calcauted Blank
這些字我都懂 但放在一起我就不懂了
Status 也分成 Primary 跟 Deleted
越發不懂
以上為我的問題 請板上大大相助
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 140.116.155.140
※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/ChemEng/M.1461933512.A.F8D.html
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
※ 轉錄者: alexanjou (140.116.155.140), 04/29/2016 20:42:04
謝謝樓上兩位ˊˋ
liwei17大:你的意思是解析度不夠好嗎?
我後來有設定解析度為0.01度一次 一次0.25秒
此外 我想知道 如何去找出最正確的晶相 (因為它有50幾個選項...)
psychicaler大跟Liwei17大:請問哪一套軟體可以做到這件事
我上網Google (其實我不太知道怎麼打這個關鍵字) 找到的都是大陸的帖子
他們是說用啥 Origin
※ 編輯: alexanjou (140.116.155.140), 04/30/2016 17:32:34
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